ส่วนอินเตอร์เฟซอินพุต:

ในส่วนอินพุตมีสัญญาณสามสัญญาณ: VIN อินพุต 12V DC, การเปิดใช้งานแรงดันไฟฟ้า ENB และสัญญาณควบคุมกระแสแผง DIM VIN มาจากอะแดปเตอร์ และแรงดันไฟฟ้า ENB มาจาก MCU บนเมนบอร์ด โดยมีค่าเป็น 0 หรือ 3V เมื่อ ENB=0 อินเวอร์เตอร์จะไม่ทำงาน ในขณะที่ ENB=3V อินเวอร์เตอร์จะอยู่ในสภาพการทำงานปกติ แรงดันไฟฟ้า DIM มาจากเมนบอร์ด โดยมีช่วง 0-5V ค่า DIM ที่แตกต่างกันจะถูกป้อนกลับไปยังเทอร์มินัลป้อนกลับของตัวควบคุม PWM และกระแสที่อินเวอร์เตอร์จ่ายให้กับโหลดก็จะแตกต่างกันเช่นกัน ยิ่งค่า DIM น้อย ค่าก็จะยิ่งมากขึ้น

กระแสไฟขาออกของอินเวอร์เตอร์

วงจรเริ่มต้นแรงดันไฟฟ้า:

เมื่อ ENB อยู่ที่ระดับสูง ให้ส่งสัญญาณไฟฟ้าแรงสูงออกมาเพื่อให้หลอดแบ็คไลท์ของแผงสว่างขึ้น

ตัวควบคุม PWM: ประกอบด้วยฟังก์ชันต่อไปนี้: แรงดันอ้างอิงภายใน ตัวขยายข้อผิดพลาด ออสซิลเลเตอร์และ PWM การป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกิน การป้องกันแรงดันไฟฟ้าตก การป้องกันไฟฟ้าลัดวงจร และทรานซิสเตอร์เอาต์พุต 

การแปลงกระแสตรง:

วงจรแปลงแรงดันไฟฟ้าประกอบด้วยทรานซิสเตอร์สวิตชิ่ง MOS และตัวเหนี่ยวนำกักเก็บพลังงาน พัลส์อินพุตถูกขยายโดยเครื่องขยายสัญญาณแบบพุชพูลเพื่อขับเคลื่อนทรานซิสเตอร์ MOS เพื่อดำเนินการสวิตชิ่ง เพื่อให้แรงดันไฟฟ้ากระแสตรงชาร์จและคายประจุตัวเหนี่ยวนำและปลายอีกด้านของตัวเหนี่ยวนำสามารถรับแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับได้

LC การสั่นและวงจรเอาท์พุต:

ตรวจสอบให้แน่ใจว่าแรงดันไฟฟ้าที่ต้องการคือ 1600V สำหรับการสตาร์ทหลอดไฟ และลดแรงดันไฟฟ้าลงเหลือ 800V หลังจากการสตาร์ทหลอดไฟ

ข้อเสนอแนะแรงดันไฟฟ้าขาออก:

เมื่อโหลดทำงาน แรงดันไฟฟ้าการสุ่มตัวอย่างป้อนกลับมีบทบาทในการรักษาเสถียรภาพเอาต์พุตแรงดันไฟฟ้าของ Inventor 

คุณสามารถจินตนาการได้จริงๆ โดยทั่วไปแล้วส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องการขั้วบวกและขั้วลบ ตัวต้านทาน และตัวเหนี่ยวนำไม่จำเป็น ความเป็นไปได้ที่ไดโอดจะพังมักเกิดจากการพังทลาย ตราบใดที่แรงดันไฟฟ้ายังปกติ ก็ไม่มีปัญหาใดๆ สำหรับทรานซิสเตอร์นั้นจะไม่นำไฟฟ้า หากการเชื่อมต่อด้านบวกและด้านลบของตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้ากลับด้าน จะเกิดความเสียหาย แต่โดยปกติแล้ววงจรบางส่วนจะได้รับการปกป้องโดยการนำไดโอดในทิศทางเดียว ในตัวเก็บประจุ มีความแตกต่างระหว่างค่าบวกและค่าลบ ซึ่งก็คือ ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า หาก
การเชื่อมต่อด้านบวกและด้านลบกลับด้านอย่างรุนแรง เคสจะระเบิด

ส่วนประกอบหลักคือไดโอด การสลับหม้อแปลงออสซิลเลเตอร์แบบท่อ การสุ่มตัวอย่าง ท่อขยับขยาย. นอกจากนี้ยังมีหลักการของวงจรสวิตชิ่งแบบพาราเมตริก เช่น วงจรออสซิลเลทติ้ง ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุ ฯลฯ การเลือกส่วนประกอบกำลังหลักสำหรับอินเวอร์เตอร์ถือเป็นสิ่งสำคัญ ในปัจจุบัน ส่วนประกอบพลังงานที่ใช้กันมากที่สุด ได้แก่ ทรานซิสเตอร์พลังงานดาร์ลิงตัน (BJT) ทรานซิสเตอร์สนามพลังงาน (MOSFET) ทรานซิสเตอร์เกตฉนวน (IGBT) และไทริสเตอร์ปิด (GTO) MOSFET มักใช้ในระบบความจุขนาดเล็กและระบบแรงดันไฟฟ้าต่ำ เนื่องจากมีแรงดันตกคร่อมสถานะต่ำกว่าและมีความถี่ในการสลับสูงกว่า โดยทั่วไปโมดูล IGBT จะใช้ในระบบไฟฟ้าแรงสูงและความจุขนาดใหญ่ เนื่องจากความต้านทานในสถานะจะเพิ่มขึ้นตามแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้น IGBT มีข้อได้เปรียบที่สำคัญในระบบที่มีความจุปานกลาง ในขณะที่ GTO โดยทั่วไปจะใช้เป็นส่วนประกอบด้านพลังงานในระบบที่มีความจุขนาดใหญ่พิเศษ (100KVA ขึ้นไป)

ส่วนประกอบขนาดใหญ่: ทรานซิสเตอร์สนามผลหรือ IGBT หม้อแปลง ตัวเก็บประจุ ไดโอด ตัวเปรียบเทียบ และตัวควบคุมหลัก เช่น 3525 อินเวอร์เตอร์ AC-DC-AC และการกรองเรียงกระแส 

ระดับพลังงานและความแม่นยำสัมพันธ์กับความซับซ้อนของวงจร

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) เป็นอุปกรณ์ปิดตัวเองที่ควบคุมด้วยสนามเซมิคอนดักเตอร์กำลังชนิดใหม่ โดยผสมผสานประสิทธิภาพความเร็วสูงของ MOSFET กำลังเข้ากับความต้านทานต่ำของอุปกรณ์ไบโพลาร์ มีลักษณะของความต้านทานอินพุตสูง การใช้พลังงานควบคุมแรงดันไฟฟ้าต่ำ วงจรควบคุมแบบง่าย ความต้านทานไฟฟ้าแรงสูง และความทนทานต่อกระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่ และมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในการแปลงพลังงานต่างๆ ในเวลาเดียวกัน ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์รายใหญ่กำลังพัฒนาเทคโนโลยี IGBT อย่างต่อเนื่องโดยมีแรงดันไฟฟ้าทนสูง กระแสสูง ความเร็วสูง แรงดันตกคร่อมอิ่มตัวต่ำ ความน่าเชื่อถือสูง และต้นทุนต่ำ โดยส่วนใหญ่ใช้กระบวนการผลิตที่ต่ำกว่า 1um และสร้างความก้าวหน้าใหม่ในการวิจัย และการพัฒนา

1. หลักการทำงานของอินเวอร์เตอร์ที่ควบคุมอย่างเต็มที่
สำหรับวงจรหลักอินเวอร์เตอร์ฟูลบริดจ์เอาท์พุตเฟสเดียวที่ใช้กันทั่วไป ส่วนประกอบ AC ใช้ทรานซิสเตอร์ IGBT Q11, Q12, Q13 และ Q14 การนำไฟฟ้าหรือจุดตัดของทรานซิสเตอร์ IGBT ถูกควบคุมโดยการปรับความกว้างพัลส์ PWM

เมื่อวงจรอินเวอร์เตอร์เชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟ DC Q11 และ Q14 จะเปิดขึ้นก่อน และ Q1 และ Q13 จะถูกปิด กระแสไฟฟ้าจะออกจากขั้วบวกของแหล่งจ่ายไฟ DC ผ่าน Q11, L หรือขดลวดปฐมภูมิของหม้อแปลงที่แสดงในรูปที่ 1-2 และกลับสู่ขั้วลบของแหล่งจ่ายไฟที่ Q14 หลังจากปิด Q11 และ Q14 แล้ว Q12 และ Q13 จะเปิดขึ้น และกระแสจะไหลจากขั้วบวกของแหล่งจ่ายไฟผ่าน Q13 และตัวเหนี่ยวนำของขดลวดปฐมภูมิของหม้อแปลง 2-1 ถึง Q12 และกลับสู่ขั้วลบของ แหล่งจ่ายไฟ ณ จุดนี้ คลื่นสี่เหลี่ยมสลับบวกและลบได้ถูกสร้างขึ้นบนขดลวดปฐมภูมิของหม้อแปลงไฟฟ้า ด้วยการใช้การควบคุม PWM ความถี่สูง หลอด IGBT สองคู่จะสลับและทำซ้ำ ทำให้เกิดแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับบนหม้อแปลง เนื่องจากการทำงานของตัวกรอง LC AC แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับคลื่นไซน์จึงเกิดขึ้นที่ขั้วเอาต์พุต

เมื่อปิด Q11 และ Q14 เพื่อปล่อยพลังงานที่เก็บไว้ ไดโอด D11 และ D12 จะเชื่อมต่อแบบขนานที่ IGBT เพื่อส่งพลังงานกลับไปยังแหล่งจ่ายไฟ DC